دیتاشیت SBC807-40LT3G
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SBC807-40LT3G
|
| حجم فایل |
73.872
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
11
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
onsemi SBC807-40LT3G
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
250@100mA,1V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
45V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
700mV@50mA,500mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
onsemi
