SI8821EDB-T2-E1 دیتاشیت

SI8821EDB-T2-E1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI8821EDB-T2-E1
حجم فایل 90.969 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت SI8821EDB-T2-E1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI8821EDB-T2-E1
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 17nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 440pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 1.6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 135mΩ@1A,4.5V
  • Package: MicroFoot-4
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه