دیتاشیت SS8550-Y2
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SS8550-Y2
|
| حجم فایل |
83.196
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
4
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
MDD(Microdiode Electronics) SS8550-Y2
-
Transistor Type:
PNP
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
1.5A
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
25V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
500mV@800mA,80mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
MDD(Microdiode Electronics)
