BT25T120CKR دیتاشیت

BT25T120CKR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BT25T120CKR
حجم فایل 75.784 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت BT25T120CKR-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics BT25T120CKR
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 50A
  • Power Dissipation (Pd): 208W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 34ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 2.37nF@30V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 1.88mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 2.7V@25A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 145nC@25A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 198ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 75A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.95mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): -
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 1mA@1.2kV
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 1.2kV
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5.8V@250uA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.95V@25A,15V
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه