SI5936DU-T1-GE3 دیتاشیت

SI5936DU-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI5936DU-T1-GE3
حجم فایل 99.881 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت SI5936DU-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI5936DU-T1-GE3
  • Power Dissipation (Pd): 10.4W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,5A
  • Package: SMD
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه