BSC028N06LS3 G دیتاشیت

BSC028N06LS3 G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BSC028N06LS3 G
حجم فایل 60.115 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت BSC028N06LS3 G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies BSC028N06LS3 G
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Continuous Drain Current (Id): 23A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@93uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ@10V,50A
  • Package: TDSON-8(5.2x5.9)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه