SVF1N60B دیتاشیت

SVF1N60B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF1N60B
حجم فایل 78.518 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت SVF1N60B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF1N60B
  • Power Dissipation (Pd): 9W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 1A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 11Ω@10V,500mA
  • Package: TO-92-2.5mm
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه