NCE30TD60BF دیتاشیت

NCE30TD60BF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE30TD60BF
حجم فایل 85.511 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NCE30TD60BF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: Trench
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30TD60BF
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 60A
  • Power Dissipation (Pd): 35.5W
  • Turn?on Delay Time (Td(on)): 19ns
  • Input Capacitance (Cies@Vce): 3.552nF@25V
  • Turn?on Switching Loss (Eon): 0.36mJ
  • Diode Forward Voltage (Vf@If): 1.7V@30A
  • Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge): 132nC@30A,15V
  • Turn?off Delay Time (Td(off)): 166ns
  • Pulsed Collector Current (Icm): 90A
  • Turn?off Switching Loss (Eoff): 0.32mJ
  • Diode Reverse Recovery Time (Trr): 178ns
  • Collector Cut-Off Current (Ices@Vce): 4uA@600V
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces): 600V
  • Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic): 5V@1mA
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Vge): 1.7V@30A,15V
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه