WPM2006-6/TR دیتاشیت

WPM2006-6/TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت WPM2006-6/TR
حجم فایل 62.756 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت WPM2006-6/TR-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: WILLSEMI(Will Semicon) WPM2006-6/TR
  • Power Dissipation (Pd): 1.45W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 120mΩ@4.5V,2.8A
  • Package: DFN-6(2x2)
  • Manufacturer: WILLSEMI(Will Semicon)

محصولات مشابه