دیتاشیت SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2342DS-T1-GE3
حجم فایل 87.635 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2342DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 15.8nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1070pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 17mΩ@4.5V,7.2A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه