2SCR512P5T100 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
2SCR512P5T100
|
|
حجم فایل
|
47.59
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
8
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
ROHM Semicon 2SCR512P5T100
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
2A
-
Power Dissipation (Pd):
500mW
-
Transition Frequency (fT):
320MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@100mA,2V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
30V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
200mV@700mA,35mA
-
Package:
SOT-89
-
Manufacturer:
ROHM Semicon
