دیتاشیت HY4504B6
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY4504B6 |
|---|---|
| حجم فایل | 64.797 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت HY4504B6 |
HY4504B6 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY4504B6
- Power Dissipation (Pd): 375W
- Drain Source Voltage (Vdss): 40V
- Continuous Drain Current (Id): 322A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2mΩ@10V,140A
- Package: TO-263-6
- Manufacturer: HUAYI
