دیتاشیت WPT2N32-6/TR
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
WPT2N32-6/TR
|
| حجم فایل |
50.352
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
7
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
WILLSEMI(Will Semicon) WPT2N32-6/TR
-
Power Dissipation (Pd):
1.1W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Continuous Drain Current (Id):
800mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
860mV@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
600mΩ@4.5V,550mA
-
Package:
DFN-6(2x2)
-
Manufacturer:
WILLSEMI(Will Semicon)
