دیتاشیت BSC025N03MS G
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
BSC025N03MS G
|
حجم فایل |
65.594
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
10
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC025N03MS G
-
Power Dissipation (Pd):
83W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
30V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
2.5mΩ@10V,30A
-
Package:
TDSON-8-EP(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies