BSC196N10NS G دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSC196N10NS G
|
|
حجم فایل
|
58.879
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
10
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC196N10NS G
-
Power Dissipation (Pd):
78W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
45A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@42uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
19.6mΩ@10V,45A
-
Package:
TDSON-8(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
