ASDM100R066NQ-R دیتاشیت

ASDM100R066NQ-R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت ASDM100R066NQ-R
حجم فایل 70.051 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت ASDM100R066NQ-R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Ascend ASDM100R066NQ-R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 108W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3320pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 68A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 20pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 5.9mΩ@10V,13.5A
  • Package: DFN-8(5x6)
  • Manufacturer: Ascend

محصولات مشابه