STN8882D دیتاشیت

STN8882D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت STN8882D
حجم فایل 50.79 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت STN8882D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: STANSON Tech. STN8882D
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 40W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 41.3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.826nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 80A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 374.9pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.7mΩ@10V,35A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: STANSON Tech.

محصولات مشابه