DMN2005LP4K-7 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
DMN2005LP4K-7
|
|
حجم فایل
|
64.062
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
7
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7
-
Operating Temperature:
-65°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
400mW
-
Drain Source Voltage (Vdss):
20V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
41pF@3V
-
Continuous Drain Current (Id):
200mA
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
900mV@100uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
1.5Ω@4V,10mA
-
Package:
DFN-3(0.6x1)
-
Manufacturer:
Diodes Incorporated
