SVF12N65CKL دیتاشیت

SVF12N65CKL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF12N65CKL
حجم فایل 72.106 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت SVF12N65CKL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF12N65CKL
  • Power Dissipation (Pd): 209W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 12A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 800mΩ@10V,6A
  • Package: TO-262
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه