CRTD082NE6N دیتاشیت

CRTD082NE6N

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CRTD082NE6N
حجم فایل 83.46 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت CRTD082NE6N-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: CRMICRO CRTD082NE6N
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 99W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): -
  • Drain Source Voltage (Vdss): 65V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3275pF@32V
  • Continuous Drain Current (Id): 87A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 225pF@32V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6.9mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: CRMICRO

محصولات مشابه