NTTFD021N08C دیتاشیت

NTTFD021N08C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTTFD021N08C
حجم فایل 72.891 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

مشاهده دیتاشیت NTTFD021N08C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTTFD021N08C
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W;26W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 572pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A;24A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@44uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 21mΩ@7.8A,10V
  • Package: WQFN-12(3.3x3.3)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه