NTJD4105CT2G دیتاشیت

NTJD4105CT2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTJD4105CT2G
حجم فایل 99.913 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTJD4105CT2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTJD4105CT2G
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 270mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 3nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): null;8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 46pF@20V
  • Continuous Drain Current (Id): 630mA;775mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 375mΩ@630mA,4.5V
  • Package: SOT-363
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه