EFC4K110NUZTDG دیتاشیت

EFC4K110NUZTDG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت EFC4K110NUZTDG
حجم فایل 88.108 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت EFC4K110NUZTDG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 2 N-Channel(Half Bridge)
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi EFC4K110NUZTDG
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 49nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 24V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): -
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.3V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): -
  • Package: WLCSP-10
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه