دیتاشیت SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SQS484EN-T1_GE3
حجم فایل 98.294 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت SQS484EN-T1_GE3

SQS484EN-T1_GE3 Datasheet

مشخصات

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SQS484EN-T1_GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 62W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 39nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 40V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1855pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 16A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 9mΩ@10V,16.4A
  • Package: PowerPAK1212-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

دیتاشیت محصولات مشابه