PNT523T503E0-2 دیتاشیت

PNT523T503E0-2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت PNT523T503E0-2
حجم فایل 62.906 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت PNT523T503E0-2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Shanghai Prisemi Elec PNT523T503E0-2
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 150mA
  • Power Dissipation (Pd): 150mW
  • Transition Frequency (fT): 200MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@1mA,6V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 100nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 50V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 80mV@50mA,5mA
  • Package: SOT-523(SC-75)
  • Manufacturer: Shanghai Prisemi Elec

محصولات مشابه