IPL65R099C7 دیتاشیت

IPL65R099C7

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPL65R099C7
حجم فایل 81.068 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت IPL65R099C7

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPL65R099C7
  • Power Dissipation (Pd): 128W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 21A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@590uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 99mΩ@10V,5.9A
  • Package: VSON-4(8.1x8.1)
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه