PDTB123YT,215 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
PDTB123YT,215
|
|
حجم فایل
|
51.873
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
11
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
-
Datasheet:
Nexperia PDTB123YT,215
-
Transistor Type:
One PNP - Pre-Biased
-
Collector Current (Ic):
500mA
-
Power Dissipation (Pd):
250mW
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
70@50mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
100nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
300mV@2.5mA,50mA
-
Package:
SOT-23(TO-236)
-
Manufacturer:
Nexperia
