NTMFS5113PLT1G دیتاشیت

NTMFS5113PLT1G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMFS5113PLT1G
حجم فایل 50.018 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NTMFS5113PLT1G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi NTMFS5113PLT1G
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 150W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 45nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4.4nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 10A;64A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 319pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 10.5mΩ@10V,17A
  • Package: DFN-5(5.9x4.9)
  • Manufacturer: onsemi

محصولات مشابه