HXY2301AI دیتاشیت

HXY2301AI

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HXY2301AI
حجم فایل 57.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت HXY2301AI

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HXY MOSFET HXY2301AI
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 405pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ@4.5V,3A
  • Package: SOT-23(TO-236)
  • Manufacturer: HXY MOSFET

محصولات مشابه