RRH140P03GZETB دیتاشیت

RRH140P03GZETB

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RRH140P03GZETB
حجم فایل 72.309 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت RRH140P03GZETB-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RRH140P03GZETB
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 650mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 150nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 8000pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 14A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 1nF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7mΩ@14A,10V
  • Package: SOP-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه