دیتاشیت NCE30H29D
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | NCE30H29D |
|---|---|
| حجم فایل | 79.153 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 7 |
دانلود دیتاشیت NCE30H29D |
NCE30H29D Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE30H29D
- Power Dissipation (Pd): 270W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 290A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.8mΩ@10V,160A
- Package: TO-263
- Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor
