RT1A050ZPTR دیتاشیت

RT1A050ZPTR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RT1A050ZPTR
حجم فایل 67.531 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

دانلود دیتاشیت RT1A050ZPTR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RT1A050ZPTR
  • Power Dissipation (Pd): 600mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 34nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 12V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2800pF@6V
  • Continuous Drain Current (Id): 5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 26mΩ@4.5V,5A
  • Package: TSST-8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه