دیتاشیت IPG20N04S4L-11
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPG20N04S4L-11
|
| حجم فایل |
62.55
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N04S4L-11
-
Power Dissipation (Pd):
41W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@15uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11.6mΩ@10V,17A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
