IPG20N04S4L-11 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
IPG20N04S4L-11
|
|
حجم فایل
|
62.55
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
2 N-Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPG20N04S4L-11
-
Power Dissipation (Pd):
41W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
20A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2.2V@15uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
11.6mΩ@10V,17A
-
Package:
TDSON-8-4
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
