دیتاشیت SI4431CDY-T1-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت | SI4431CDY-T1-GE3 |
---|---|
حجم فایل | 73.643 کیلوبایت |
نوع فایل | |
تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4431CDY-T1-GE3 |
SI4431CDY-T1-GE3 Datasheet |
---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: P Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI4431CDY-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 2.5W;4.2W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 38nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 1006pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 9A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 32mΩ@10V,7A
- Package: SOP-8
- Manufacturer: Vishay Intertech