دیتاشیت Si2338DS-T1-GE3-VB
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | Si2338DS-T1-GE3-VB |
|---|---|
| حجم فایل | 72.394 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت Si2338DS-T1-GE3-VB |
Si2338DS-T1-GE3-VB Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: VBsemi Elec Si2338DS-T1-GE3-VB
- Power Dissipation (Pd): 1.7W
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Continuous Drain Current (Id): 6.5A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,3.2A
- Package: SOT-23(TO-236)
- Manufacturer: VBsemi Elec
