HYG032N03LR1C1 دیتاشیت

HYG032N03LR1C1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HYG032N03LR1C1
حجم فایل 66.951 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 9

دانلود دیتاشیت HYG032N03LR1C1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HYG032N03LR1C1
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 23W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 32nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.872nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 55A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.8V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 277pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.3mΩ@10V,20A
  • Package: DFN-8(3x3)
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه