SVF4N60RD-TR دیتاشیت

SVF4N60RD-TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SVF4N60RD-TR
حجم فایل 47.578 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت SVF4N60RD-TR-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60RD-TR
  • Power Dissipation (Pd): 77W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.4Ω@10V,2A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Hangzhou Silan Microelectronics

محصولات مشابه