BLP05N08G-P دیتاشیت

BLP05N08G-P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BLP05N08G-P
حجم فایل 81.257 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت BLP05N08G-P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: BL(Shanghai Belling) BLP05N08G-P
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 173.6W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 80nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 85V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4021pF@40V
  • Continuous Drain Current (Id): 120A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 17pF@40V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.4mΩ@10V,50A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: BL(Shanghai Belling)

محصولات مشابه