RRQ045P03TR دیتاشیت

RRQ045P03TR

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RRQ045P03TR
حجم فایل 70.278 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

دانلود دیتاشیت RRQ045P03TR

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RRQ045P03TR
  • Power Dissipation (Pd): 600mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1350pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5A,10V
  • Package: -
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه