HY1001D دیتاشیت

HY1001D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY1001D
حجم فایل 64.111 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY1001D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY1001D
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 75W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 82nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 70V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4200pF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 70A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 220pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 7.4mΩ@10V,40A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه