- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت HY3008B
HY3008B دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | HY3008B |
|---|---|
| حجم فایل | 66.921 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 14 |
دانلود دیتاشیت HY3008B |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: HUAYI HY3008B
- Power Dissipation (Pd): 200W
- Drain Source Voltage (Vdss): 80V
- Continuous Drain Current (Id): 100A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@10V,50A
- Package: TO-263
- Manufacturer: HUAYI
