BC857QASZ دیتاشیت

BC857QASZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت BC857QASZ
حجم فایل 53.608 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت BC857QASZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
  • Datasheet: Nexperia BC857QASZ
  • Transistor Type: 2PCSPNP
  • Operating Temperature: +150°C@(Tj)
  • Collector Current (Ic): 100mA
  • Power Dissipation (Pd): 350mW
  • Transition Frequency (fT): 100MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 200@2mA,5V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 15nA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 45V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 300mV@100mA,5mA
  • Package: DFN-6(1x1)
  • Manufacturer: Nexperia

محصولات مشابه