NCE60P04R دیتاشیت

NCE60P04R

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE60P04R
حجم فایل 83.182 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE60P04R

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE60P04R
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 3.1W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 25nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 930pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 35pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 106mΩ@10V,4A
  • Package: SOT-223
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه