NCEP12T12 دیتاشیت

NCEP12T12

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCEP12T12
حجم فایل 78.126 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCEP12T12

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCEP12T12
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 185W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 84.7nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 120V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 5.6nF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 129A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 28pF@50V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.8mΩ@10V,60A
  • Package: TO-220
  • Manufacturer: Wuxi NCE Power Semiconductor

محصولات مشابه