IPD65R950C6 دیتاشیت

IPD65R950C6

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD65R950C6
حجم فایل 32.914 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 15

مشاهده دیتاشیت IPD65R950C6

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD65R950C6
  • Power Dissipation (Pd): 37W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 4.5A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@200uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 950mΩ@10V,1.5A
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: Infineon Technologies

محصولات مشابه