دیتاشیت SQM120N10-3M8_GE3
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SQM120N10-3M8_GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 85.995 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SQM120N10-3M8_GE3 |
SQM120N10-3M8_GE3 Datasheet |
|---|
مشخصات
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SQM120N10-3M8_GE3
- Operating Temperature: -55°C~+175°C@(Tj)
- Power Dissipation (Pd): 375W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 190nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 100V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 7230pF@25V
- Continuous Drain Current (Id): 120A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.5V@250uA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 3.8mΩ@10V,20A
- Package: TO-263-2
- Manufacturer: Vishay Intertech
