- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SPP21N50C3
SPP21N50C3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SPP21N50C3 |
|---|---|
| حجم فایل | 85.95 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 14 |
دانلود دیتاشیت SPP21N50C3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: N Channel
- Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
- Datasheet: Infineon Technologies SPP21N50C3
- Power Dissipation (Pd): 208W
- Drain Source Voltage (Vdss): 500V
- Continuous Drain Current (Id): 21A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3.9V@1mA
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,13.1A
- Package: TO-220
- Manufacturer: Infineon Technologies
