SI2329DS-T1-GE3 دیتاشیت

SI2329DS-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI2329DS-T1-GE3
حجم فایل 81.257 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SI2329DS-T1-GE3-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI2329DS-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 2.5W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 29nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 8V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 1485pF@4V
  • Continuous Drain Current (Id): 6A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 800mV@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@4.5V,5.3A
  • Package: SOT-23
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه