PUMB11,115 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
PEMB11,115
|
|
حجم فایل
|
51.873
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
15
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Digital Transistors
-
Datasheet:
Nexperia PUMB11,115
-
Transistor Type:
2 NPN - Pre-Biased
-
Collector Current (Ic):
100mA
-
Power Dissipation (Pd):
300mW
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
30@5mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
1uA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
150mV@500uA,10mA
-
Package:
SOT-363
-
Manufacturer:
Nexperia
