Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6003 دیتاشیت

NCE6003

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NCE6003
حجم فایل 82.641 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NCE6003-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi NCE Power Semiconductor NCE6003
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C
  • Power Dissipation (Pd): 1.7W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 6nC@30V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 60V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 247pF@30V
  • Continuous Drain Current (Id): 3A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 19.5pF@30V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 125mΩ@4.5V,3A
  • Package: SOT-23

محصولات مشابه